著書

1. 山口栄一『試験管の中の太陽』 　(ISBN4-06-20633-X)　, 講談社　 (1993年5月)
2. 山口栄一『試験管の中の太陽・韓国語版』　 (ISBN89-85552-07-4)　, Imprema Korea 　(1994年3月)
3. Eiichi YAMAGUCHI, "Thin film boron nitride for semiconductor application", Synthesis and Properties of Boron Nitirde　 (ISBN0-87849-606-8)　 Edited by J. J. Pouch, S. A. Alterovitz, Trans Tech Publications　 (May, 1990)　.
4. Tomonori ITO, Takahisa OHNO and Eiichi YAMAGUCHI, "Computer-Aided Materials Design for Semiconductors" (ISSN 0935-9648), Advanced Materials　 (Augusut, 1993)　.
5. 田中直毅・山口栄一他『NHKスペシャルドキュメント　データマップ日本　－日本経済再生への処方箋』 　(ISBN4-14-969211-4)　,NHK出版　(2002年5月)
6. 山口栄一『第7章　半導体・デバイス産業』『講座　日本の産業システム　第3巻　サイエンス型産業』 　(ISBN 4-7571-2102-4) 後藤晃・小田切宏之編, NTT出版　(2003年3月)

7. 山口栄一『イノベーション　破壊と共鳴』　 (ISBN 4-7571-2174-1)　, NTT出版　(2006年3月)
   　クリステンセンは、『イノベーションのジレンマ』の中で、イノベーションに「持続的イノベーション」と「破壊的イノベーション」という２つの構造があることを示した。しかしトランジスタという20世紀最大のイノベーションは、この構造論では説明できない。膨大なインタビューに基づいたケーススタディを通して、「パラダイム破壊型イノベーション」という新しい概念を提示する。さらに、それを実現するための「共鳴場」についても触れ、21世紀の産業社会のあるべき姿を論じる　(日経新聞2006年5月23日の書評へ)　。

8. Eiichi YAMAGUCHI, "Rethinking Innovation" "Recovering from Success: Innovation And Technology Management in Japan"　 (ISBN 978-0199297320)　 Editied by R. Cole and D. Hugh Whittaker, Oxford University Press 　(2006)

9. 山口栄一『JR福知山線事故の本質―企業の社会的責任を科学から捉える』　(ISBN 978-4-7571-2196-6), NTT出版　(2007年5月 )
   　 事故は回避できた！　科学者の分析と被害者が迫る、福知山線事故の根本原因。2005年4月に起きたJR福知山線脱線事故について、科学者の視点から事故の原因を分析する。
   「科学」の欠如によってこの転覆事故が起きたこと、これまでの事故調査で定説となっている「脱線事故」ではなく「転覆事故」であったこと、科学者がいて企業としての社会的責任を前もって自覚していれば、この事故は未然に防げたこと、それゆえにJR西日本の責任はいま問われている以上に大きいことを、さまざまな角度から論証する　(毎日新聞2007年7月15日の書評へ)(日経新聞2008年6月5日の記事へ)　。

10. 山口栄一、西村吉雄、川口盛之助 『FUKUSHIMAレポート－原発事故の本質』　（ISBN 978-4-86443-000-5), 日経BPコンサルティング(2012年1月)
    「事故の本質を科学だけの問題としてとらえるのは難しい。技術者の倫理のありようや、誤った判断を導いてしまう社会・組織の特質などは人文・社会学を活用しなければ解明できない」。本書をまとめたFUKUSHIMAプロジェクト委員長の山口栄一・同志社大教授（物理学）はそう話す。チームには法律家や倫理学者も参加し、横断的に意見を交わして問題の核心に迫ろうとしている。（日経新聞2012年4月14日の文化欄へ）

11. 山口栄一 『死ぬまでに学びたい5つの物理学』　（ISBN 978-4480016003), 筑摩書房(2014年5月)
    母親に捨てられたニュートン、自殺したボルツマン、息子をナチスに殺されたプランク、ユダヤ人としてドイツを追われたアインシュタイン、原爆製造の汚名を着せられたハイゼンベルク…。科学の先端を切り拓いた物理学者たちの発見の陰には、孤独と苦悩の人間ドラマがあった。5つの革命的な知を生み出した天才たちの思考プロセスをたどり、科学はいかにして創られたかを解明する。文系の読者にも面白く学べる全く新しい物理学入門書。

12. 山口栄一 『青色LEDに挑戦した男たち（１）』　（ASIN　B00OL5L504), 東洋経済新報社(2014年10月)
    2014年、青色ＬＥＤの開発で赤崎勇、天野浩、中村修二氏の３人の日本人研究者がノーベル物理学賞を受賞した。　赤崎・天野の二人の師弟がいかにして青色ＬＥＤの最初の発見にたどり着いたか。四国のベンチャー企業の技術者であった中村が、挫折を繰り返しながらも青色LEDの実用化を成すまでの苦闘…。　『週刊東洋経済』誌上で2003年に連載したノンフィクション「『巨人』たちの敗北」を電子化しました！　

13. 山口栄一 『青色LEDに挑戦した男たち（２）』　（ASIN　B00OL5L522), 東洋経済新報社(2014年10月)
    2014年のノーベル物理学賞を受賞した青色ＬＥＤの開発。開発レースは、大企業の敗北に終わった。優秀な研究者、経営者を擁しながら途中で製品化を断念し、日亜化学工業の技術者だった中村修二氏に栄冠を奪われる。 　大組織の精鋭たちは、なぜベンチャー企業の一技術者に敗れ去ったのか。名だたる大企業の「敗北」の軌跡から、大組織が画期的なイノベーションを起こしえない理由が明かされる。 　『週刊東洋経済』誌上で2003年に連載したノンフィクション「『巨人』たちの敗北」を電子化しました！

14. 山口栄一(編著) 『イノベーション政策の科学―SBIRの評価と未来産業の創造』
    （ISBN 978-4130461153), 東大出版会(2015年3月)
    いかに日本は後れをとったのか？
    SBIRの定量的な比較から、日米の政策の本質的な違いを解き明かす。
    
    米国はSBIR（中小企業技術革新制度）によりイノベーション促進に大きな成功を収め、日本はこれに大きく後れをとった。日本のイノベーション政策を定量的に米国と比較し、また日本の各産業でのイノベーションに関わる問題を明らかにした上で、これら問題を克服するためのイノベーション戦略について解説する。学生・実務者必携。

15. 川井 秀一 (編集), 池田 裕一 (編集), 藤田 正勝 (編集) 『総合生存学: グローバル・リーダーのために』
    （ISBN 978-4876988792), 京都大学学術出版会 (2015/7/10)
    例えば開発と環境保護が対立する現場、国際紛争の現場に飛び込んだ若者が、その場で最も適当な解を見つけるには何が必要か?個人レベルの生命、自由、財産などの安全保障から、市民社会や国家、地域の秩序に関わる戦術・戦略まで、複合的・構造的課題を見通すには、人文学や基礎科学の素養の上に、工学、農学、医学分野から地域社会、国際法・政治に至る事柄まで、深くかつ広い学識と、それらに裏打ちされた実践力が必要になってくる。文字通り学問と国境の垣根を越えた人材を育成する知の挑戦。

16. 山口栄一(著) 『イノベーションはなぜ途絶えたか: 科学立国日本の危機 (ちくま新書1222)』
    （ISBN 978-4480069320), 筑摩書房 (2016/12/6)
    国家再生の設計図
    シャープ買収と原発事故に共通する危機とは?
    
    かつて「科学立国」として世界を牽引した日本の科学とハイテク産業の凋落が著しい。経済の停滞にとどまらず、原発事故のような社会への大打撃を招きかねないイノベーションの喪失。その原因は企業の基礎研究軽視にとどまらず、政策的失敗にあったことをベンチャー支援策に成功した米国との比較から解明する。さらに科学の発見からイノベーションが誕生する原理を明らかにし、日本の科学復興に向けた具体的な処方箋を示す。科学と社会を有機的に結びつける〝国家再生の設計図〟。

17. 山口栄一(著) 『物理学者の墓を訪ねる ひらめきの秘密を求めて』
    （ISBN 978-4822237325), 日経BP社 (2017/2/2)
    最も偉大な物理学者が眠るのは遊び心満載の“遊園地"だった
    
    「ニュートンが万有引力の法則を発見した瞬間」「湯川秀樹が中間子を思い付いた瞬間」――。 偉大な物理学者たちによる「創発」は、いかなるプロセスから生まれたのか。 著作や論文にも記されていないひらめきの秘密は、「墓」にあった。 物理学者の墓石に刻まれた文字からは、生前の業績だけではなく、 遺族や友人たちの思いや、亡くなったときの時代背景などが浮かび上がってくる。 自らも物理学者であり、数々のベンチャー企業を創ってきた筆者が、 世界を変えた天才たちによる創発の軌跡をたどるとともに、 現代のイノベーション論にも言及するスケールの大きな著作。

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英論文

1977 - 1979 アンダーソン局在状態での電子相関効果の研究　(理論物理)　(研究内容はこちら)

1. H. Kamimura and E. Yamaguchi, "Electron correlation effects on Anderson localized states", Solid State Communications　 (October 1978)　 Vol.28, No.1, p.127-131.

2. E. Yamaguchi, H. Aoki and H. Kamimura, "Intra- and interstate interactions in Anderson-localised states", Journal of Physics C　 (Solid State Physics)　 (28 November 1979)　 Vol.12, No.22, p.4801-4815.

3. E. Yamaguchi, H. Aoki and H. Kamimura, "Intra- and inter-state interactions in Anderson localized states", Journal of Non-Crystalline Solids　 (January - February 1980)　 Vol.35-36, Pt.1, p.47-52; Proceedings of the 8th International Conference on Amorphous and Liquid Semiconductors. Cambridge, USA, 27-31 August 1979.

1979 - 1984 III-V族半導体の低次元電子系に関する研究 　(実験物理)　(研究内容はこちら)

4. Y. Shinoda, M. Okamura, E. Yamaguchi and T. Kobayashi, "InGaAsP n-channel inversion-mode MISFET", Japanese Journal of Applied Physics　 (November 1980)　 Vol.19, No.11, p.2301-2302.

5. E. Yamaguchi, T. Nishioka and Y. Ohmachi, "Ohmic contacts to Si-implanted InP", Solid-State Electronics 　(March 1981)　 Vol.24, No.3, p.263-265.

6. Y. Hirota, M. Okamura, E. Yamaguchi, T. Nishioka, Y. Shinoda and T. Kobayashi,"Surface controlled InP-MIS　 (metal-insulator-semiconductor)　 triodes", Journal of Applied Physics　 (May 1981)　 Vol.52, No.5, p.3727-3503.

7. T. Kobayashi, M. Okamura, E. Yamaguchi, Y. Shinoda and Y. Hirota, "Effect of pyrolytic Al2O3 deposition temperature on inversion-mode InP metal-insulator-semiconductor field-effect transistor", Journal of Applied Physics　 (October 1981)　 Vol.52, No.10, p.6434-6436.

8. E. Yamaguchi and T. Kobayashi, "Optically-gated InP-MISFET: A new high-gain optical detector", Japanese Journal of Applied Physics 　(January 1982)　 Vol.21, No.1, Pt.1, p.104-108.

9. E. Yamaguchi and T. Kobayashi, "Impact-ionization of excitons and application to gate-controlled bistable switching", Japanese Journal of Applied Physics, Part 1　 (1982)　 Vol.21, Suppl.21-1, p.389-394; 13th Conference on Solid State Devices. Tokyo, Japan, 26-27 August 1981.

10. E. Yamaguchi and T. Kobayashi, "New method for determining distribution of interface states in an MIS system", Electronics Letters　 (1 April 1982)　 Vol.18, No.7, p.290-292.

11. E. Yamaguchi, "Isothermal capacitance transient spectroscopy in MIS structures", Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 　(November 1982)　 Vol.21, No.11, p.1628-1632

12. E. Yamaguchi, Y. Hirota and M. Minakata, "Chemical deposition of PAsxNy films onto III-V compound semiconductors", Thin Solid Films　 (13 May 1983)　 Vol.103, No.1-2, p.201-209.

13. E. Yamaguchi and M. Minakata, "Magnetoconductance study of inversion layers on InAs metal-insulator-semiconductor field-effect transistors", Applied Physics Letters　 (15 November 1983)　 Vol.43, No.10, p.965-967.

14. E. Yamaguchi, M. Minakata and Y. Furukawa, "Current drift phenomena and spectroscopic measurement method for insulator trap level parameters in InP MIS-FETs", Japanese Journal of Applied Physics, Part 2　 (January 1984) 　Vol.23, No.1, p.L49-51.

15. E. Yamaguchi and M. Minakata, "Study of boron nitride gate insulators onto InP grown by low-temperature chemical vapor deposition", Journal of Applied Physics　 (15 April 1984)　 Vol.55, No.8, p.3098-3102.

16. O. Mikami, M. Okamura, E. Yamaguchi, Y. Hirota and Y. Furukawa, "Current-drift suppressed InP MISFETs with new gate insulator", Japanese Journal of Applied Physics, Part 1　 (October 1984)　 Vol.23, No.10, p.1408-1409.

17. E. Yamaguchi, "Theory of defect scattering in two-dimensional multisubband electronic systems on III-V compound semiconductors", Journal of Applied Physics　 (15 September 1984)　 Vol.56, No.6, p.1722-1727.

18. E. Yamaguchi, "Electron subbands and transport properties in inversion layers of InAs and InP", Physical Review B 　(15 October 1985)　 Vol.32, No.8, p.5280-5288.

19. Y. Hirota, M. Okamura, T. Hisaki and E. Yamaguchi, "Temperature dependence of electron mobility for inversion-mode InP metal-insulator-semiconductor field-effect transistors", Journal of Applied Physics　 (1 January 1987) Vol.61, No.1, p.277-283.

20. M. Okamura, Y. Hirota, E. Yamaguchi and O. Mikami, "The effect of Fe concentration in substrates on the characteristics of InP MISFETs", Japanese Journal of Applied Physics, Part 1　 (June 1987) 　Vol.26, No.6, p.976-977.

21. M. Okamura, E. Yamaguchi and Y. Hirota, "First observation of quantum Hall effect in InP-MISFET", Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 　(June 1988)　 Vol.27, No.6, p.1151-1153.

22. Y. Hirota, M. Okamura, E. Yamaguchi and T. Hisaki, "Film deposition temperature dependence of electron mobility for accumulation-mode InP metal-insulator-semiconductor field-effect transistors", Journal of Applied Physics　 (1 February 1989)　 Vol.65, No.3, p.1328-1337.

1984 - 1991 III-V族半導体の電子構造に関する研究 　(理論物理)　(研究内容はこちら)

23. E. Yamaguchi, "The origin of the DX center in AlxGa1-xAs", Japanese Journal of Applied Physics, Part 2　 (August 1986)　 Vol.25, No.8, p.L643-645. 

24. E. Yamaguchi, "Theory of the DX centers in III-V semiconductors and　 (001)　 superlattices", Journal of the Physical Society of Japan 　(August 1987)　 Vol.56, No.8, p.2835-2852.

25. E. Yamaguchi, "Superlattice Approach to the Interface States in III-V Semiconductors", Journal of the Physical Society of Japan 　(July 1988)　 Vol. 57, No.7, p.2461-2475.

26. K. Shiraishi and E. Yamaguchi, "Electronic structure of an InAs monomolecular plane in GaAs", Physical Review B (Condensed Matter)　 (15 August 1990)　 Vol.42, No.5, p.3064-3068.

27. N. Shigekawa and E. Yamaguchi, "A Monte-Carlo supercell approach for the effects of disorder on the upper-valley electronic properties in InGaAs ternary alloys", Japanese Journal of Applied Physics, Part 2　 (August 1991)　, Vol. 30, No. 8A, p.L1340-1342.

28. E. Yamaguchi, K. Shiraishi and T. Ohno, "First principle calculation of the DX-center ground-states in GaAs, AlxGa1-xAs alloys and AlAs/GaAs superlattices", Journal of the Physical Society of Japan 　(September 1991)　, Vol. 60, No. 9, p.3093-3107.

29. T. Ohno and E. Yamaguchi, "Comment on ""Energetics of DX-center formation in GaAs and AlxGa1-xAs alloys""", Physical Review B　 (15 September 1991)　 Vol.44, No.12, p.6527-6529.

30. N. Shigekawa and E. Yamaguchi, "Effects of disorder on electroncic conduction properties at subsidiary energy minima in Ternaly InGaAs alloys", Semiconduct. Sci. Technol. 　(July 1992)　 Vol. 7, p. B369-B371.

31. E. Yamaguchi, K. Shiraishi and H. Kageshima, "Level-Resonance Transition of Deep States Produced by Nitrogen Vacancies in Nitride Semiconductors", Phys. Stat. Sol. (b) 　(1999)　, Vol. 211, p. 157-161.

1991 - 1998 III-V族半導体の光物性に関する研究　(実験物理と理論物理)　(研究内容はこちら)

32. E. Yamaguchi and M. R. Junnarkar, "First principle calculation and photo-luminescence spectroscopy of the DX center", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 32　 (1993)　 Suppl. 32-1, p.206-211.
33. M. R. Junnarkar, E. Yamaguchi and T. Saku, "Anti-Stokes photoluminescence related to the deep donor states in Si double delta-doped AlxGa1-xAs ", Materials Science Forum Vol. 117-118　 (1993)　 p.321-326.
34. E. Yamaguchi and M. R. Junnarkar, "Discovery of new photoluminescence effect related to deep donor levels in Si-doped AlxGa1-xAs and microstructures", Journal of the Physical Society of Japan 　(July 1995)　, Vol. 64, No. 7, p. 2656-2668.
35. M. R. Junnarkar and E. Yamaguchi, "Anti-Stokes photoluminescence from Si modulation doped AlyGa1-yAs/ AlxGa1-xAs QW and Si double delta doped AlxGa1-xAs ", Solid State Electronics, 　(1996)　, Vol. 40, Nos. 1-8, p. 665-671.
36. E. Yamaguchi and M. R. Junnarkar, "Effects of Nitrogen Vacancy on Optical Properties of Nitride Semiconductors", J. Crystal Growth 　(1998)　, Vol. 189/190, p. 570-574.

1989 - 1998 固体内重水素の異常核効果に関する研究　(実験物理)　(研究内容はこちら)

37. E. Yamaguchi and T. Nishioka, "Cold nuclear fusion induced by controlled out-diffusion of deuterons in palladium", Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 　(April 1990)　 Vol.29, No.4, p. L666-669.

1998 - 2003 科学技術政策に関する研究　(社会科学)　(研究内容はこちら)

2003 - イノベーションと技術経営に関する研究　(複合領域)　(研究内容はこちら)

38. E. Yamaguchi, "The Dimness of the Blue Diode Lawsuit", Japan Echo 　(June 2004)　, Vol.31 No.3, 27 - 31
39. E. Yamaguchi, "El pleito del diode azul: un caso poco claro”, Cuadernos de Japon 　(June 2004)　, Vol.17 No.2, 13 - 18
40. E. Yamaguchi, "The Dimness of the Blue Diode Lawsuit", ITEC Research Paper Series 　(December 2004)　, Vol.4 No.14, 1 – 11

41. Hideki IIJIMA, Eiichi Yamaguchi,"Decrease in the Number of Journal Articles in Physics in Japan: Corelation between the Number of Articles and Doctoral Students ", Journal of Integrated Creative Studies, No. 2015-0009, pp.1-20.
42. Hiroyasu INOUE, Eiichi YAMAGUCHI,"Evaluation of the Small Business Innovation Research Program in Japan", SAGE Open,Vol.7,Issue 1,pp.1-9

2003 – 次世代半導体デバイスの開発とその事業化　(複合領域)　(研究内容はこちら)

43. S. Yamada, T.Ohnishi, T. Kakegawa, M. Alabori, T. Suzuki, H. Sugiura, F. Nakamura, E. Yamaguchi and H. Kawai, "High Quality Two-Dimensional Electron Gas at Large Scale GaN/AlGaN Wafer Interface Prepared by Mass Production MOCVD Systems", Solid State Electronics 　(January 2005)　, Vol.133, 647 – 649

44. T. Saito, T. Hitora, H. Hitora, H. Kawai, I. Saito, and E. Yamaguchi, “UV/VUV Photodetectors using Group III - Nitride Semiconductors”, to be published in Phys. Stat. Solid. A (2009).
45. T. Saito, T. Hitora, H. Ishihara, M. Matsuoka, H. Hitora, H. Kawai, I. Saito, and E. Yamaguchi, “Group III - Nitride Semiconductor Schottky Barrier Photodiodes for the Radiometric Use in the UV and VUV Regions”,Metrologia（May 2009）Vol.46, S272-S276.
46. S. Narita, T. Hitora, E. Yamaguchi, Y. Sakemi, M. Itoh, H. Yoshida, J. Kasagi, K. Neichi“Effects of high-energy proton and electron irradiation on GaN Schottky diode”,Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A-Accelerators Spectrometers Detectors and Assoceated Equipments, (July 2013) Vol. 57, pp.1-4.

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和論文

1989 - 1998 固体内重水素の異常核効果に関する研究　(実験物理)　(研究内容はこちら)

1. 山口栄一, "常温核融合を確認", パリティ, 　(March 1993)　, Vol. 8, No. 3, p. 59-61.

2. 山口栄一, 西岡孝, "「常温核融合」に挑む", メカライフ,  　(June 1993)　,  No. 32, p. 40-41.

3. 山口栄一, 西岡孝, "ヘリウム-4生成と熱の発生の相関", 応用物理学会誌,　 (July 1993)　, Vol. 62, No. 7, p. 712-714.

4. 山口栄一, 西岡孝, "重水素化パラジウムからのヘリウム-4生成の検出", Journal of Plasma and Fusion Research, 　 (July 1993)　, Vol. 69, No. 7, p. 743-751.

5. 山口栄一, "真空法 ― 核生成物を追う新しい試み", 日本の科学と技術,　 (Winter 1994)　, Vol. 35, No. 271, p. 50-54.

1998 - 2003 科学技術政策に関する研究　(社会科学)　(研究内容はこちら)

6. 山口栄一, 水上慎士, 藤村修三, "技術創造の社会的条件", 組織科学,　 (2000)　, Vol. 34, No. 1, p. 30-44. 

7. 山口栄一,"独創の構造－巨人たちの敗北1　「青色発光デバイスに挑戦した男たち」" 東洋経済 　(2003/3/22)　, No.5813, p.112-115.

8. 山口栄一,"独創の構造－巨人たちの敗北2　「2つのパラダイム破壊に成功した師弟」" 東洋経済 　(2003/3/29)　, No.5814, p.54-57.

9. 山口栄一,"独創の構造－巨人たちの敗北3　「中村修二のセレンディピティ」" 東洋経済 　(2003/4/05)　, No.5816, p.90-93.

10. 山口栄一,"独創の構造－巨人たちの敗北4　「NTT研究中止命令の謎」" 東洋経済 　(2003/4/12)　, No.5817, p.78-81.

11. 山口栄一,"独創の構造－巨人たちの敗北5　「目隠しされた巨人たち」" 東洋経済 　(2003/4/19)　, No.5818, p.94-97.

12. 山口栄一,"独創の構造－巨人たちの敗北6 「共鳴場の発見」" 東洋経済 　(2003/4/26)　, No.5820, p.98-101.

13. 山口栄一,"青色LED開発に学ぶ独創的な研究者の生かし方" エコノミスト 　(2003/8/05)　, Vol81, No.39, p.24-25.

14. 山口栄一,"書評「理系白書　－静かにこの国を支える人たち－」" エコノミスト　 (2003/8/12)　, Vol.81, No.40, p.73-73.

2003 - イノベーションと技術経営に関する研究　 (複合領域)　(研究内容はこちら)

15. 山口栄一,"「200億円判決」中村修二は英雄か" 文藝春秋 　(April 2004)　, Vol.82, No.6, p..162-169.

16. 山口栄一, "青色LED 『200億円判決』 の決定的な誤り　－リスク・チャレンジからのリターンを発明の対価と混同してはならない－", CISREP Discussion Paper Series #04-02.
17. 山口栄一,"なぜその企業は日亜化学になれなかったのか" 日経ビズテック　 (June 2004)　, Vol.1, No.1, 150-157
18. 山口栄一,"感性イノベーションによるまちづくり　　－大阪に必要な都市ブランド" 融 　(2004/8)　、Vol.12, No.8, p.18-25.
19. 山口栄一,"ソフト産業の勃興を阻む日本的事情" 日経ビズテック 　(Dec. 2004)　, Vol.1, No.4, p.68-74.
20. 山口栄一, "イノベーションの構造－パラダイム破壊型イノベーションとは何か", ITEC Research Paper Series　 (December 2004)　, Vol.4 No.13, 1 - 15.
21. 山口栄一,"研究所と大阪がここまでダメになったわけ" 日経ビズテック 　(Jul. 2005)　, Vol.1, No.8, p.54-61.
22. 山口栄一, "改革を創造につなげるには", 東京財団 (Jan.2006), Vol. 59 , No.1 p.18-19.
23. 山口　栄一, "同志社大学でのMOT教育の取り組み", 近畿経済産業局 パワフルかんさい (2006), Vol. 440 No.5, p.22-23
24. 山口栄一,"イノベーションと共鳴", 機械の研究 (Jan. 2007), Vol. 59, No.1, p.118-125.
25. 山口栄一, "JR福知山線事故の本質―企業の社会的責任を科学から捉える", 同志社大学チャペルアワー(Jan.2007), Vol. 1 No.194 p.2-3
26. 永峯英行,山口栄一,"選択と集中のジレンマ"ITEC Working Paper Series, 　(June 2007)　 No.10.
27. 山口栄一,"事故調査委員会の決定的な非科学性" 日経Tech-On (Sep. 2007).
    http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20070911/138971/
28. 山口栄一,"パラダイム破壊型イノベーション 「知の創造」を育む産業モデルを構築", Business Research, (April 2008) No.1007, p.6-15.
29. 山口栄一,"産業革命をイノベーション論から捉え直す" 日経 Tech-On 　(May-June 2008).
    第1回：http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20080521/152128/
    第2回：http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20080529/152545/
    第3回：http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20080604/152816/
    第4回：http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20080612/153172/
    第5回：http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20080618/153450/
    第6回：http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20080625/153855/
    第7回：http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20080702/154208/
30. 山口栄一, "パラダイム破壊型イノベーションとしての産業革命"　組織科学 (Sep. 2008) Vol. 42, No. 1.p.37-47
31. 山口栄一, "技術の「目利き力」とは何だろうか" 日経Tech-On 　(Feb-Mar. 2009).
    第1回：http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20090213/165600/
    第2回：http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20090223/166161/
    第3回： http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20090302/166576/
    第4回：http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20090310/166954/
    第5回：http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20090323/167563/
    第6回：http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20090323/167563/
    第7回：http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20090331/168047/
    第8回：http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20090407/168450/
32. 山口栄一, "技術の目利きの育て方－ブレークスルーのイノベーション理論", 研究開発リーダー Vol. 6, No. 5 (August 2009).
33. 山口栄一, "ブレークスルーを生み出す"技術の目利き"の育成法", 企業と人材 (March, 2010).
34. 山口栄一,"ブレークスルーのイノベーション理論 －メモリーデバイス産業は「ムーア以後」にどう立ち向かうか？”, 応用物理 Vol.79, No.12, p.1077-1083.
35. 山口栄一,"計画停電が日本の製造業をさらに弱体化する", 日経ビジネスオンライン 2011年3月30日,
    http://business.nikkeibp.co.jp/article/manage/20110328/219174/
36. 山口栄一,"2011年夏、関東の電力危機をいかに切り抜けるか", 日経エレクトロニクス No.1054, pp.15-17, 2011年4月18日
37. 山口栄一,"「節電しか方法がない」のではあまりに悲しくないでしょうか？", 日経ビジネスオンライン 2011年4月26日
    http://business.nikkeibp.co.jp/article/manage/20110422/219568/
38. 山口栄一, "見逃されている原発事故の本質―東電は「制御可能」と「制御不能」の違いをなぜ理解できなかったのか", 日経ビジネスオンライン, (May 2011)
    http://business.nikkeibp.co.jp/article/manage/20110510/219895/
39. 山口栄一,"福島原発事故の本質", 日経エレクトロニクス, No. 1056, pp. 82-89,  2011年5月16日号
40. 山口栄一,"見逃されている原発事故の本質", 日経ビジネスオンライン 2011年5月13日
    http://business.nikkeibp.co.jp/article/manage/20110510/219895/
41. 山口栄一,"メルトダウンを防げなかった本当の理由", 日経TechOn, 2011年12月15日 http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20111215/202630/

42. 山口栄一,"福島原発事故の本質、その2", 日経エレクトロニクス, No.1077, pp.83-91., 2012年3月05日号
43. 山口栄一,"科学者の魂を探して"(2014/08/22-2015/10/22)
    第1回：http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20140819/371343/
    第2回：http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20140819/371361/
    第3回：http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20140826/372600/
    第4回：http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20150324/410820/
    第5回：http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20150401/412224/
    第6回：http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20150422/415622/
    第7回：http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20150611/422743/
    第8回：http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20150701/425861/
    第9回：http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20150724/429341/
    第10回：http://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20150822/432800/
    第11回：http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/column/15/371342/100600001/
    第12回：http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/column/15/371342/100600002/
    
44. 山口栄一,"深層リポート　企業と天才　前編", 週刊東洋経済　第6560号　2014/11/8 pp.60-61
45. 山口栄一,"沈みゆく船・日本を救え−本物のSBIR制度導入に向けて", 日本ベンチャー学会誌 2015年1月号
46. 山口栄一,"科学者とは何か―その1　日本の科学と産業が縮みゆく理由", 情報管理, (2015) Vol.58, No.2, pp.135-138 http://doi.org/10.1241/johokanri.58.135
47. 山口栄一,"科学者とは何か―その2　SBIR制度の日米比較", 情報管理, (2015) Vol.58, No.6, pp.462-470 http://doi.org/10.1241/johokanri.58.462
48. 山口栄一,"科学者とは何か―その3　新しいイノベーション・エコシステムの構想", 情報管理, (2015) Vol.58, No.10, pp.771-777 http://doi.org/10.1241/johokanri.58.771
49. 山口栄一,"沈みゆく船・日本を救え―科学をイノベーションに転ずるために", 太陽グランドソントン・エグゼクティブニュース, 第153号
50. 山口栄一,"未来産業を生み出すイノベーション戦略", Financial Forum, 第111号　pp.2-7
51. 山口栄一,"総論：イノベーションの実現に向けて", 電機評論 (2016)　No.8
52. 山口栄一,"東電原発事故の本質―JR福知山線事故との類似性―", Journal of Enginering Ethics, (2016) Vol.13, pp.101-136
53. 山口栄一,"日本の科学とイノベーションの「メッカ」を求めて その1", ISOTOPE NEWS (2017) Nol.2
54. 山口栄一,"日本の科学とイノベーションの「メッカ」を求めて その2", ISOTOPE NEWS (2017) Nol.4

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国際会議

1977 - 1979 アンダーソン局在状態での電子相関効果の研究　(理論物理)　(研究内容はこちら)

1. E. Yamaguchi, H. Aoki and H. Kamimura, "Intra- and inter-state interactions in Anderson localized states", Journal of Non-Crystalline Solids 　(January - February 1980)　 Vol.35-36, Pt.1, p.47-52; Proceedings of the 8th International Conference on Amorphous and Liquid Semiconductors. Cambridge, USA, 27-31 August 1979.

1979 - 1984 III-V族半導体の低次元電子系に関する研究 　(実験物理)　(研究内容はこちら)

2. E. Yamaguchi and M. Minakata, "Characterization of a new gate insulator BN on InP grown by low-temperature CVD", Extended Abstracts of the 15th Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, Japan, 30 August - 1 September 1983. p.81-84.

3. E. Yamaguchi, "Transport properties of n-channel inversion layers on InP and InAs MISFETs", Extended Abstracts of the 16th 　(1984 International) 　Conference on Solid State Devices and Materials, Kobe, Japan, 30 August - 1 September 1984. p.371-374.

4. O. Mikami, M. Okamura, E. Yamaguchi, Y. Hirota and Y. Furukawa, "Current-drift suppressed InP MISFETs with a new gate insulator", Extended Abstracts of the 16th　 (1984 International)　 Conference on Solid State Devices and Materials, Kobe, Japan, 30 August - 1-September, 1984, p.22-23.

5. E. Yamaguchi, "Electron Subbands and Transport Properties in Inversion Layers on InAs and InP", American Physical Society March Meeting, Baltimore

1984 - 1991 III-V族半導体の電子構造に関する研究　(理論物理)　(研究内容はこちら)

6. E. Yamaguchi, "The origin of the DX center and EL2 in AlxGa1-xAs", Proceedings of the 4th Conference on Semi-Insulating III-V Materials, Hakone, May 18-21, 1986, pp. 549, Edited by H. Kukimoto and S. Miyazawa, North-Holland.

7. E. Yamaguchi, "Electronic structures of GaAs-AlAs　(111)　 superlattices and interfaces", Extended Abstracts of the 19th Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, Japan, p.483-486.

8. E. Yamaguchi, "Electronic structures of III-V semiconductor-insulator interfaces", Proceedings of the 19th International Conference on the Physics of Semiconductors, Warsaw, 1988, p. 623; Edited by W. Zawadzki, Polish Academy of Science.

9. E. Yamaguchi, K. Shiraishi and T. Ohno, "First principle calculation of the DX centers in GaAs, AlxGa1-xAs Alloys and AlAs/GaAs superlattices", Proceedings of the 20th International Conference on the Physics of Semiconductors, Thessaloniki, 1990, p. 501; Edited by E. M. Anastassakis and J. D. Joannopoulus, World Scientific.

10. N. Shigekawa and E. Yamaguchi, "Effects of disorder onto the conduction electronic properties at subsidiary energy minima in InGaAs ternary alloys", Proceedings of the 7th International Conference on the Hot Carriers in Semiconductors, Nara, 1991, p.B369-371; Edited by C. Hamaguchi.

11. E. Yamaguchi, K. Shiraishi and H. Kageshima, "Level-Resonance Transition of Deep States Produced by Nitrogen Vacancies in Nitride Semiconductors", Proceedings of International Conference on High Pressure Semiconductor Physics, Thessaloniki, August, 1998.

1991 - 1998 III-V族半導体の光物性に関する研究　(実験物理と理論物理)　(研究内容はこちら)

12. E. Yamaguchi and M. R. Junnarkar, "First principle calculation and photo-luminescence spectroscopy of the DX center　 (Invited)　", Proceedings of International Conference on High Pressures in Semiconductor Physics, Kyoto, 1992; Edited by S. Minomura.

13. M. R. Junnarkar, E. Yamaguchi and T. Saku, "Anti-Stokes photoluminescence related to the deep donor states in Si double delta-doped AlxGa1-xAs ", Proceedings of International Conference on Shallow Impurities in Semiconductors, Kobe, 1992; Edited by T. Nishino.

14. M. R. Junnarkar and E. Yamaguchi, "Anti-Stokes photoluminescence from Si modulation doped AlyGa1-yAs/ AlxGa1-xAs QW and Si double delta doped AlxGa1-xAs ", Proceedings of 7th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Madrid, 1995.

15. E. Yamaguchi and M. R. Junnarkar, "Effects of Nitrogen Vacancy on Optical Properties of Nitride Semiconductors", Proceedings of International Conference on Nitride Semiconductors, Tokushima, October, 1997, p. 278.

1989 - 1998 固体内重水素の異常核効果に関する研究　(実験物理)　(研究内容はこちら)

16. E. Yamaguchi and T. Nishioka, "Nuclear fusion induced by the controlled out-transport of deuterons in palladium", Proceedings of International Progress Review of Anomalous Nuclear Effects in Deuterium/Solid Systems, Provo, October, 1990, p.354; Edited by S. E. Jones et al., AIP Conference Proceedings 228.

17. E. Yamaguchi and T. Nishioka, "New method for inducing anomalous nuclear effects in deuterated palladium system", Proceedings of International ISEM Symposium on Nonlinear Phenomena in Electromagnetic Fields, Nagoya, January, 1992, p.21-24; Edited by T. Furuhashi and Y. Uchikawa 　(Supplement to Vol. 3 of the International Journal of Applied Electromagnetics in Materials)　.

18. E. Yamaguchi and T. Nishioka, "Direct evidence for nuclear fusion reactions in deuterated palladium", Proceedings of International Conference on Cold Fusion, Nagoya, October, 1992, p.179-188, Edited by H. Ikegami; Frontier Science Series No. 4, Universal Academy Press.

19. E. Yamaguchi and H. Sugiura, "Excess Heat and Nuclear Products from Pd:D/Au Heterostructures by the 'In-vacuo' Method", Proceedings of International Conference on Cold Fusion, Vancouver, 1998, p.420-424.

20. H. Sugiura and E. Yamaguchi, "Calorimetric Analysis of the Excess Heat Generated from Pd:D and Pd:H by the 'In-vacuo' Method", Proceedings of International Conference on Cold Fusion, Vancouver, 1998, p.366-370.

1998 - 2003 科学技術政策に関する研究　(社会科学)　(研究内容はこちら)

21. E. Yamaguchi, S. Mizukami and S. Fujimura, "How Japan can create social conditions conducive to science-technology feedback 　(Invited)　", NISTEP International Conference "Entrepreneurship and National Innovation Systems", National Institute of Science and Technology Policy, Tokyo.

22. E. Yamaguchi, M. Matsubara and N. Tanaka, "Topographic Analysis for the Productivity of Japan's Agriculture -- Effects of Governmental Intervention on the Agricultural Competitiveness", 2002 International Conference of Georgia Political Science Association, 2002, Savannah.

23. M. Matsubara, E. Yamaguchi, S. Sato and N. Tanaka, "Topographic Analysis for the Structure of Japan's Agriculture -- The Risk and Self-Organization", 2002 International Conference of Georgia Political Science Association, 2002, Savannah

24. E. Yamaguchi, “Structure of Innovation--'The Field of Resonance' Management for Realizing “Paradigm-Disruptive” Innovation" 　(Invited)　, International Consortium for Management of Technology, Tokyo, 2003.

2003 - イノベーションと技術経営に関する研究　(複合領域)　(研究内容はこちら)

25. E. Yamaguchi, "This remarkable paradigm-disruptive innovation  -- From a viewpoint of MOT　 (management of technology) 　(Invited)　", The 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, 2003.

26. E. Yamaguchi, "How we develop efficient systems of MOT education in Japan　 (Invited)　", MOT Internatonal Symposium, Tokyo, 2003

27. E. Yamaguchi, "Technological Innovation and Future Outlook of Japan  　(Invited)　", International Consortium Program, Tokyo, 2003.

28. E. Yamaguchi, "Renaissance of Entrepreneurship in Kansai 　(invited)　", ITEC International Forum, Kyoto, 2004.

29. E. Yamaguchi, "Rethinking Innovation:  New Model for High-Tech. Venture from a Japanese University",Japan-UK International Forum, 2005
30. E. Yamaguchi and Y. Ashikaga, "A New Model for High-tech Venture from a Japanese University", NanoBiz 2007, Singapore
31. E. Yamaguchi,  "Is global alliance feasible to remove the air pollution of east Asia?", 2nd Global Innovation Eco-System 　(GIES 2007)　, Tokyo, Japan
32. E. Yamaguchi,  "Low Environmental Impact Transport System", 3rd Global Innovation Eco-System　 (GIES 2008)　, Tokyo, Japan.
33. E. Yamaguchi,  "Structure of Innovation and Innovation Diagram (invited)", International Symposium on Innovation Strategy (ISIS 2008), 15 Sep 2008, University of Cambridge.
34. E. Yamaguchi,  "Industrial Revolution as a Paradigm Disruptive Innovation (invited)", International Symposium on Innovation Strategy (ISIS 2008), 15 Sep 2008, University of Cambridge.
35. E. Yamaguchi,  "A Case Study for Paradigm Disruptive Innovation: Blue Light Emitting Devices-- How it Happened only in Japan ? (invited)", 07 November 2008, Department of Engineering, University of Cambridge.
36. E. Yamaguchi,  "A Case Study for Paradigm Disruptive Innovation: Blue Light Emitting Devices-- How it Happened only in Japan ? (invited)", Jetro, London 12 Dec 2008.
37. E. Yamaguchi,  "Rethinking innovation: How high-tech industries can recover their competitiveness in the UK (invited)", ASH Colloquium, Clare Hall, University of Cambridge, 13 Jan 2009.
38. E. Yamaguchi,  "A Case Study for Paradigm Disruptive Innovation: Blue Light Emitting Devices-- How it Happened in Japan ?", Lecture at Prof Humphreys Institute, University of Cambridge, 15 Jan 2009.
39. E. Yamaguchi,  "Innovation Theory and Lawsuit on Blue LED (invited)", Keltie Symposium, London, 17 Feb 2009.
40. E. Yamaguchi,  "Rethinking innovation and the Japanese way of science and technology - How the revolution in Blue Light Emitting Diodes happened only in Japan ? (invited)", Symposium for Needham Research Institute, University of Cambridge, 06 March 2009.
41. E. Yamaguchi,  "Innovation Model toward Breakthroughs", (invited) INC06 (The 6th International Nanotechnology Conference on Communication and Co-operation), Grenoble-France, 20 May 2010.
42. Eiichi Yamaguchi, "How will we accomplish breakthrough innovations?", The 8th ITEC International Conference 'Overcoming Two "Ends"', Kyoto, 04 March 2011.
43. Eiichi YAMAGUCHI,"Cause of Fukushima Nuclear Plant Accident -- Why did the error of technology management happen?", 2nd International Symposium on Innovation Strategy, University of Cambridge, Cambridge, 2011年08月22日
44. 山口栄一,"メルトダウンを防げなかった本当の理由─福島第一原子力発電所事故の核心", FUKUSHIMAプロジェクト国際シンポジウム, 早稲田大学小野講堂, 2012年01月15日.
45. Eiichi Yamaguchi, “The actual reason why Fukushima Nuclear Plant Accident could not have been avoided”, The Third International Symposium on Innovation Strategy, University of Cambridge, U.K., September 2012.
46. Eiichi Yamaguchi, "Three Types of Breakthrough Innovations for Creating Future Industries (invited)", 5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, Nagoya, January 2013. p.33.

2003 –　 次世代半導体デバイスの開発とその事業化　(複合領域)　(研究内容はこちら)

45. S. Yamada, T.Ohnishi, T. Kakegawa, M. Alabori, T. Suzuki, H. Sugiura, F. Nakamura, E. Yamaguchi and H. Kawai, “High Quality Two-Dimensional Electron Gas at Large Scale GaN/AlGaN Wafer Interface Prepared by Mass Production MOCVD Systems”, The 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, 2003.
46. Terubumi Saito, Toshimi Hitora, Hisako Hitora, Hiroji Kawai, Ichiro Saito and Eiichi Yamaguchi, “UV/VUV Photodetectors using Group III - Nitride Semiconductors”, International Workshop on Nitride Semiconductors, Montreux, 06 October 2008.
47. Toshimi Hitora, Terubumi Saito, Hiroji Kawai, Eiichi Yamaguchi and Ichiro Saito, "Narrow Bandwidth UV Detectors Composed of AlxGa1-xN Photodiodes with AlyGa1-yN Optical Windows",  10th Int. Conf. on New Developments and Applications in Optical Radiometry, Daejeon (Korea), 14 October 2008.
48. Terubumi Saito, Toshimi Hitora, Hideaki Ishihara, Mikihiko Matsuoka, Hisako Hitora, Hiroji Kawai, Ichiro Saito and Eiichi Yamaguchi, "Group III - Nitride Semiconductor Schottky Barrier Photodiodes for the Radiometric Use in the UV and VUV Regions",  10th Int. Conf. on New Developments and Applications in Optical Radiometry, Daejeon, Korea, 15 October, 2008
49. S. Narita, Y. Chiba, D. Ichinose, T. Hitora, E. Yamaguchi, Y. Sakemi, M. Itoh, H. Yoshida, J. Kasagi, "Performance of GaN Ionizing Detector and Its Radiation Hardness", 16th International Workshop on Room Temperature SemiconductorX-and Gamma-Ray Detectors, Dresden, Germany, 23 October 2008.
50. E. Yamaguchi, "GaN --Paradigm Disruptive Innovation Creating New Semiconductor Industries" (invited), International Symposium "Developing Innovative Gallium Nitride Technology & Devices for a Green Future", Industrial Technology Research Institute, Hsinchu, Taiwan, January 11, 2011.

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国内学会講演・企業講演

2003 - イノベーションと技術経営に関する研究　(複合領域)　(研究内容はこちら)

1. イノベーション（技術革新）を起こすためには－半導体のイノベーションはどう起きたか－ (Invited) サンデン・ニューテクノロジー・フォーラム 2003
2. イノベーションの構造－パラダイム破壊型イノベーションをいかに実現するか－ (Invited) 大阪大学特別フォーラム 2003
3. 独創的な若者たちがその力を発揮できる社会をめざして 21世紀COEプログラム拠点形成計画報告会 2003
4. イノベーションと技術経営　－独創を生む組織の条件－ オムロン開発交流会議 2003
5. ベンチャービジネス実践論－ベンチャー・ビジネス創出 (Invited) JAISTフォーラム 2003
6. 市場drivenから市場drivingへの戦略転換と政策改革をめざして (Invited) CISREP大阪シンポジウム 2003
7. パラダイム破壊型イノベーション (Invited) IIRコンソーシアム 2004
8. イノベーションの構造－パラダイム破壊型イノベーション－ (Invited) DCTSイノベーション・フォーラム 2004
9. 関西起業家マインドの復活に向けて　(Invited) 大阪MOTシンポジウム 2004
10. イノベーションの構造 －パラダイム破壊型イノベーションをいかに実現するか－ (Invited) けいはんな交流会 2004
11. 青色LEDは如何にして発明されたか (Invited) 長島・大野・常松法律事務所研究会 2004
12. 青色LED「200億円判決」の問題点とその解決 (Invited) 東大先端経済工学研究センターシンポジウム 2004
13. イノベーションの構造 －パラダイム破壊型イノベーションをいかに実現するか－ (Invited) 日立中央研究所講演会 2004
14. イノベーションの起源 (Invited) Denso Innovator's Program 2004
15. 青色LED「200億円判決」の 問題点とその解決 (Invited) 経済産業省ルネッサンスプロジェクト・オープンセミナー 2004
16. 大阪の将来と起業家精神　I 　(Invited) 大阪府議会「大阪の将来を考える研究会」 2004
17. 青色LED 200億円判決について ―　リスク･チャレンジからのリターンを 発明の対価と混同してはならない　 ― (Invited) 早大徳島県支部総会 記念講演会 2004
18. 職務発明の対価と対応策 ―青色LED 200億円判決の問題とその解決― (Invited) 技術士交流会 2004
19. 青色発光ダイオード　２００億円判決について －特許法３５条が投げかける波紋－ 同志社ITEC　ITEC/DBS共同フォーラム 2004
20. 大阪の将来と起業家精神　II　(Invited) 大阪府議会「大阪の将来を考える研究会」 2004
21. 企業革新型第二創業に向けて (Invited) 京都商工会議所　第二創業塾オープニングセミナー 2004
22. 知識創造理論 -イノベーションは、いかにしておこるか (Invited) 滋賀大学・滋賀県立大学・長浜バイオ大学　湖北「学・学」連携　MOTプログラム 2004
23. 破壊型イノベーションとは何か、 それを如何にして成功させるか　(Invited) 近畿MOTコンソーシアム　近畿MOTシンポジウム 2005
24. イノベーションとMOT－青色LED：日亜化学と中村修二氏のケース　(Invited) エネルギー・資源学会 2005
25. 中小企業発のイノベーションを如何にしておこすか ～青色発光ダイオード開発の光と影を教訓にして～ (Invited) 京都府中小企業総合センター　技術経営（ＭＯＴ）セミナー 2005
26. イノベーションとMOT 青色発光ダイオード：　日亜化学と中村修二氏のケース (Invited) アイサポート第3回MOTエグゼクティブセミナー「知的財産戦略とMOT」 2005
27. 中小企業発のイノベーションを如何にしておこすか ～青色発光ダイオード開発の光と影を教訓にして～ (Invited) 日本粉体工業技術協会 第13回APPIE経営講座 2005
28. イノベーションの条件 青色発光ダイオードから学ぶ新産業創成の方法論 (Invited) 特定非営利活動法人KGC　MOT（技術経営）講座 2005
29. 技術イノベーションの起源 (Invited) シャープ株式会社　MOTエグゼクティブセミナー 2005
30. イノベーションと技術経営 青色発光ダイオード：　日亜化学と中村修二氏のケース (Invited) 第264回山水会 2005
31. 技術イノベーションの起源　(Invited) 2005年度Denso Innovator's Program 2005
32. パラダイム破壊型イノベーション　(Invited) Toyota MOT Program 2005 2005
33. イノベーション論　(Invited) JAISTベンチャー・ビジネス実践論 2005
34. 技術の価値評価について 3rd TEC Dinner Seminar 2005
35. 量子力学とビジネス　(Invited) 京都市地域プラットフォーム事業 「第6期MOT人材育成事業」 2005
36. パラダイム破壊型イノベーションの 生成プロセスとそのマネジメント (Invited) 三菱電機 イノベーションリーダーコース 2005
37. 技術経営　 －独創的な若者たちがその力を発揮できる社会をめざして－ 同志社大学東京講座 2005
38. イノベーションと技術経営 青色発光ダイオード：　日亜化学と中村修二氏のケース　(Invited) 関経連ステップアップセミナー 2005
39. 夢の半導体窒化ガリウムと 新産業の創出 2nd CICフォーラム 2005
40. 夢の半導体窒化ガリウムと 新産業の創出　(Invited) OUS技術セミナー 2005
41. ナノテク起業のケーススタディ ナノテクセンター特別講義 2006
42. イノベーション 破壊と共鳴 (Invited) 2006/02/28 近畿地域ＭＯＴシンポジウム 2006
43. Neo Cluster 「次世代半導体関連」 近畿産業クラスターシンポジウム 2006
44. GaN/AlN/SiCナノヘテロ構造による高感度紫外線センサー 2006/03/17 4th Annual Meeting of Society of Nano Science and Technology 2006
45. イノベーション　破壊と共鳴 2006/05/10 同志社ビジネススクール公開講座 2006
46. イノベーション　破壊と共鳴 (Invited) 2006/05/25 CISREPオープンセミナー 2006
47. 関西再生への契機 2006/05/26 国土形成計画・関西シンポジウム2006 2006
48. イノベーション　破壊と共鳴 (Invited) 2006/06/23 科学技術と経済の会 2006
49. イノベーション　破壊と共鳴 (Invited) 2006/07/11 豊田中央研究所講演会 2006
50. 青色発光デバイスにみるイノベーション実践論　(Invited) 2006/08/30 映像情報メディア学会 2006
51. イノベーション 破壊と共鳴 (Invited) 2006/10/05 産業研究所研究会 2006
52. 誰が、イノベーションを担うのか (Invited) 2006/11/08 経営イノベーションコンファレンス 2006
53. ２１世紀にあるべき企業経営の方法論を求めて～パラダイム破壊型イノベーションこそが未来を創る～ (Invited) 2006/11/08 科学技術と経済の会　技術経営会議 2006
54. 10年後の計測産業 ― ブレークスルーはどこにあるか (Invited) 2006/11/10 分析産業人ネット　第２回講演会 2006
55. イノベーション 破壊と共鳴 (Invited) 2006/12/18 電気通信協会　講演会 2006
56. 青色LEDというイノベーションと知的財産について (Invited) 2007/01/27 SAMCO社講演会 2007
57. 知の連携拠点創造戦略について（大学の連携・専門職大学院のあり方） (Invited) 2007/02/06 第3回九州圏広域地方計画研究会 2007
58. 「イノベーション 破壊と共鳴」について 2007/02/20 科学技術政策懇談会 2007
59. イノベーションと地域クラスター政策 (Invited) 2007/03/12 第4回地域科学技術クラスター・タスクフォース 2007
60. イノベーション 破壊と共鳴 (Invited) 2007/05/11 サイエンティフィックシステム研究会 2007
61. イノベーション　破壊と共鳴 (Invited) 2007/06/11 京都商工会議所特別講演会 2007
62. パラダイム破壊型イノベーション 2007/07/08 TBIセミナー 2007
63. JR福知山線事故とCSR 2007/07/20 DBS派遣企業懇談会 2007
64. JR福知山線事故の科学的分析 (Invited) 2007/08/19 4.25ネットワーク 2007
65. 物理科学とその応用：技術と社会 (Invited) 2007/08/26 上村洸先生記念講演会 2007
66. 企業の社会的責任とイノベーション (Invited) 2007/08/31 村田機械（株）　役員会特別講演会 2007
67. 技術イノベーション (Invited) 2007/09/06-07 シャープ株式会社リーダーズ・プログラム 2007
68. イノベーション 破壊と共鳴 －物理学者は社会貢献できるのか (Invited) 2007/09/19 筑波大学 特別講演会 2007
69. イノベーション 破壊と共鳴 (Invited) 2007/09/20 NEDOかんさい産業技術フォーラム2007 2007
70. イノベーション 破壊と共鳴 (Invited) 2007/09/25 (株)リコー特別講演会 2007
71. イノベーション論　－科学者は社会貢献できるか (Invited) 2007/09/28 JAISTベンチャービジネス実践論 2007
72. JR福知山線事故の科学的分析 2007/10/06 STEPセミナー特別シンポジウム「JR福知山線事故の本質」 2007
73. イノベーション 破壊と共鳴 (Invited) 2007/10/13 2008年度組織学会年次大会「フロンティア技術とそのマネジメント」 2007
74. イノベーション 破壊と共鳴 (Invited) 2007/10/17 モルガンスタンレー・イノベーションセミナー 2007
75. 化合物半導体の未来シナリオ (Invited) 2007/10/18 モルガンスタンレー特別講演 2007
76. イノベーションとは何か パラダイム破壊とは何か (Invited) 2007/10/24 三菱電機MS特別講義 2007
77. パラダイム破壊型イノベーションの生成プロセスとそのマネジメント (Invited) 2007/11/08, 12/20 富士通　新任取締役会研修セミナー 2007
78. イノベーション　破壊と共鳴 (Invited) 2007/11/08 三菱化学・科学技術研究センター特別講演 2007
79. パラダイム破壊型イノベーション (Invited) 2007/11/20 第28回 技術経営推進交流会議 2007
80. 日本の競争力の起源 2007/11/24 同志社大学　ITECシンポジウム「国際競争力とリーダーシップ」 2007
81. 技術起業戦略 (Invited) 2007/12/01,02,08 第7期MOT人材育成事業セミナー 2007
82. 企業の社会的責任（CSR）を科学から捉えなおす (Invited) 2007/12/02 同志社ビジネススクール特別講演 2007
83. イノベーション　破壊と共鳴 (Invited) 2007/12/06 物質材料研究機構 特別講演会 2007
84. JR福知山線事故の本質 (Invited) 2007/12/08 同志社大学理工学研究所特別講演 2007
85. 企業の社会的責任（CSR）を科学から捉える (Invited) 2008/01/05 同志社生協新年互礼会 講演 2008
86. 化合物半導体の未来シナリオ　(Invited) 2008/01/17 モルガン・スタンレー証券「新春セミナー」 2008
87. イノベーション　破壊と共鳴 (Invited) 2008/01/13 日新電機株式会社 特別講演 2008
88. イノベーション　破壊と共鳴 (Invited) 2008/02/04 夕学五十講 2008
89. サイエンス型ベンチャー企業の経験と成功の戦略 (Invited) 2008/02/13 （社）日本半導体ベンチャー協会（JASVA）IPセミナー 2008
90. イノベーション　破壊と共鳴 (Invited) 2008/02/23 JMAC（日本能率協会コンサルティング）セミナー 2008
91. 化合物半導体の未来シナリオ (Invited) 2008/02/25 モルガンスタンレー証券セミナー 2008
92. 破壊的イノベーションとは何か (Invited) 2008/03/10 NEDO MOTスーパーカレッジ 2008
93. Ⅲ族窒化物半導体素子の特性測定と放射線耐性評価, 2008/08/21 平成２０年度電気関係学会東北支部連合大会、日本大学 2008
94. ケンブリッジの変容から学ぶブレークスルーのイノベーション理論 (invited) 2009/04/17 日本総研 技術価値創造戦略セミナー 2009
95. ケンブリッジの変容から何を学ぶか? (invited) 2009/05/14 京都大学工学部セミナー 2009
96. 目利き力の本質－ブレークスルーのイノベーション理論－ (invited) 2009/06/17 JMAC 第13回 開発・技術マネジメント革新大会 2009
97. 対談　山口栄一×椙山知子「クオリアと芸術、科学」(invited) 2009/07/25 京都流議定書リレーシンポジウム 2009
98. イノベーション　破壊と共鳴 (invited) 2009/08/04 情報コミュニケーション学会2009 & 第37回次世代教育研究会 2009
99. 目利き力の本質－ブレークスルーのイノベーション理論－ (invited) 2009/08/18 TEL Advanced Technology Forum 2009 2009
100. 目利き力の本質－ブレークスルーのイノベーション理論、半導体ベンチャーを立ち上げて－ (invited) 2009/08/26 平成21年度半導体ネットおかやま 第1回例会 2009
101. 共鳴する場、回遊する力－技術の目利き力とは何か－ (invited) 2009/09/21 同志社MOT Forum 2009 2009
102. イノベーションと技術経営 (invited) 2009/10/16 東北大学プロジェクト研究会 2009
103. ブレークスルーのイノベーション理論－半導体ベンチャーを立ち上げて－ (invited) 2009 / 11/ 06 岩手大学特別シンポジウム 2009
104. 環境イノベーションのブレークスルー (invited) 2010/01/08 第8回先進技術とビジネス 研究会 2010
105. ブレークスルーのイノベーション理論 (invited) 2010/01/22 応用物理学会　第15回ゲートスタック研究会 2010
106. ブレークスルーの実現をめざしてーいかにしてイノベーションを継続するか－ (invited) 2010 / 03 / 02 中小企業大学校セミナー 2010
107. ブレークスルーのイノベーション理論 (invited) 2010/03/16 日本機械学会 85期関西支部総会 2010
108. 人材育成の観点から－共鳴場とは何か？ (invited) 2010/04/02 つくばナノテク拠点特別講演, 産学独連携人材育成プログラム 2010
109. 物理学者が見通す未来 2010/04/04 未来研究会フォーラム 2010
110. ブレークスルーのイノベーション理論 (invited) 2010/07/13 東京大学イブニングセミナー 2010
111. ブレークスルーのイノベーション理論‐未来を目利きする (invited) 2010/07/15 電子材料・デバイス先端技術動向調査報告会 2010
112. ブレークスルーのイノベーション理論‐未来を目利きする (invited) 2010/10/21 モルガンスタンレー技術セミナー 2010
113. 食と農の産業想像への問題提起 (invited) 2010/10/22 RD&Eマネジメント革新研究会 2010
114. イノベーションと新事業創造‐ブレークスルーを達成する方法 (invited) 2010/11/19 日立国際電気ビジネス戦略セミナー 2010
115. ブレークスルーのイノベーション理論‐未来を目利きする (invited) 2011/01/19 JPモルガン・アセットマネジメント・セミナー 2011
116. イノベーションと新事業創造‐ブレークスルーを達成する方法 (invited) 2011/01/19 日本オプネクスト技術講演会 2011
117. パワーエレクトロニクスの未来 (invited) 2011/01/20 モルガンスタンレー技術セミナー 2011
118. ブレークスルーのイノベーション理論‐ケンブリッジ大学での体験を交えながら (invited) 2011/01/27 Technical Assessment 21研究会 2011
119. 青色発光デバイス開発史～いったん科学の地平におりて素朴に考える (invited) 2011/02/03 京都市産業技術研究所講演会 2011
120. ブレークスルーのイノベーション理論 (invited) 2011/02/21 SEAJ 2011
121. 山口栄一,"見逃されている原発事故の本質（招待講演）", 同志社大学経済学部シンポジウム「震災復興と原発・電力不足問題を考える」, 同志社大学（京都）, 2011年5月14日
122. 山口栄一, "ブレークスルーのイノベーション理論－原発事故後の日本の研究・開発の針路－（招待講演）", 次世代安心・安全ICTフォーラム, NICT, 東京, 2011年06月30日
123. 山口栄一,"ブレークスルーのイノベーション理論－原発クライシス以後の日本の針路－（招待講演）", 平成23年度京都先端技術研究会 記念講演会, 京都市産業技術研究所, 京都, 2011年06月30日
124. 山口栄一,"見逃されている原発事故の本質（招待講演）", 情報システム学会・第7回全国大会, 同志社大学, 京都, 2011年11月27日
125. 山口栄一,"ブレークスルー・イノベーションと未来産業の創造（招待講演）", JST-PO研究会, 東京, 2011年12月21日
126. 山口栄一,"ブレークスルーのイノベーション理論", 旭硝子講演会, 横浜, 2011年05月27日
127. 山口栄一,"日本の病をいかに治すか－ブレークスルーこそが社会を幸福にする", 「ハピネス」特別委員会第4回委員会, 京都経済同友会, 京都, 2011年09月28日
128. 山口栄一,"『目利き力』の本質－ブレークスルーのイノベーション理論", 積水化学第25回CS品質セミナー, 京都, 2011年09月30日.
129. 山口栄一,"カレッジ構想", 京都南ロータリークラブ講演会, 京都, 2011年12月08日.
130. 山口栄一「未来産業創造に向かうブレークスルー・イノベーションの方法（招待講演）」　日立中央研究所特別講演, 東京, 2012年1月29日
131. 山口栄一「ブレークスルー・イノベーションと未来産業の創造（招待講演）」富士通取締役セミナー, 東京, 2012年2月7日
132. 山口栄一「FUKUSHIMAレポート−原発事故の本質（招待講演）」　京都モーニングロータリークラブ卓話, 京都, 2012年2月9日
133. 山口栄一「イノベーション力と起業家精神を養う高等教育とは（招待講演）」　関西財界セミナー, 京都 , 2012年2月10日
134. 山口栄一「太陽電池の未来（招待講演）」モルガン・スタンレーTechセミナー, 東京 , 2012年4月
135. 山口栄一「パワーエレクトロニクス：SiCかGaNか?（招待講演）」JPモルガンTechセミナー, 東京, 2012年4月
136. 山口栄一「福知山線事故の本質、東電福島原発事故の本質（招待講演）」クライシス・カフェ, 企業間フューチャーセンター・ワールドカフェ, 東京, 2012年4月20日
137. 山口栄一「福島原発事故の本質（招待講演）」, クオリアAGORAワールドカフェ, 京都, 2012年5月31日
138. 山口栄一「ブレークスルーのイノベーション理論（招待講演）」, イノベーション研究会, 東京, 2012年6月11日
139. 山口栄一「福島原発事故の本質（招待講演）」, Future Center Kyoto ワールドカフェ, 京都, 2012年6月17日
140. 山口栄一「ブレークスルーのイノベーション理論（招待講演）」, 旭硝子特別講演会, 横浜, 2012年8月2日
141. 山口栄一「ブレークスルー・イノベーション（招待講演）」富士通次世代技術経営特別講演, 東京, 2012年9月20日
142. 山口栄一「東京電力福島原発事故の本質（招待講演）」CEST技術研究会, 浜松, 2012年10月24日
143. 山口栄一「東電原発事故の本質ーJR福知山線事故との精神的類似性―（招待講演）」　YMCA交流会, 神戸, 2012年11月10日
144. 山口栄一「知と技術の結集（招待講演）」　富士通取締役セミナー, 東京, 2012年11月16日
145. 山口栄一「福島原発事故から学ぶ 経営判断（招待講演）」　同志社・立命館合同例会, 京都, 2012年11月20日
146. 山口栄一「青色LED特許裁判を再考する―イノベーションダイヤグラム法入門（招待講演）」日本知的財産協会関西化学会, 2012年12月7日
147. 山口栄一「未来産業創造に向かうイノベーションの方法 （招待講演）」　京都府ビジネス・クリエイター育成特別公開セミナー, 京都, 2013年2月23日
148. 山口栄一「東電原発事故の本質ーJR福知山線事故との精神的類似性―」　東大YMCA座談会, 東京, 2013年02月28日
149. 山口栄一「ブレークスルー・イノベーションと未来産業創造　（招待講演）」　第6回グリーンナノフォーラム, 大阪, 2013年3月15日
150. 山口栄一「総括! FUKUSHIMA　なぜ海水注入をしなかったのか」　2012年度クオリアAGORAスペシャル, 京都, 2013年3月28日
151. 山口栄一「創発と回遊：イノベーションの2つの鍵　（招待講演）」　京都Dスクール基調講演, 京都, 2013年5月25日
152. 山口栄一「Entrepreneurshipとは何か?　（招待講演）」　京都大学AIESEC, 京都　京都大学, 2013年7月12日
153. 山口栄一「イノベーションと未来産業の創造−2つの鍵＝創発と回遊−　（招待講演）」　第8回けいはんなビジネスメッセ・フォーラム, 京都　けいはんなプラザ, 2013年7月19日
154. 山口栄一「未来産業創造にむかうイノベーション戦略の研究　（招待講演）」　RISTEX合同サロン（第3回）「 イノベーションの科学的源泉・知の創造と価値の創造〜２つのプロジェクトから導き出される科学的根拠とその結論をめぐって〜 」, 東京　科学技術振興機構, 2013年8月20日
155. 山口栄一「ブレークスルー・イノベーションと未来産業の創造」　グンゼ株式会社特別講演, 岐阜, 2013年9月4日
156. 山口栄一「沈みゆく船・日本を救え−未来産業創造にむかうイノベーション戦略　（招待講演）」　日経BP社セミナー, 大阪　ヒルトンホテル, 2013年9月27日
157. 山口栄一「ブレークスルーのイノベーション理論　I　（招待講演）」　富士通新任役員研修 第1回, 川崎　富士通ユニバーシティ, 2013年10月3日
158. 山口栄一「原発リスクとどう向き合う? 〜東電問題を考える〜　技術編」　2013年度第6回クオリアAGORAスペシャル, 京都　同志社大学, 2013年10月24日
159. 山口栄一「データ分析から見た素養とイノベーション　（招待講演）」　サイエンスアゴラ2013 シンポジウム「科学技術の智：分野を超えて新しい価値観をつくる」, 東京 東京国際交流館3F 国際交流会議場, 2013年11月10日
160. 山口栄一「ブレークスルーのイノベーション理論　II　（招待講演）」　富士通新任役員研修 第2回, 川崎　富士通ユニバーシティ, 2013年11月12日
161. 山口栄一「ブレイクスルーのイノベーション理論　（招待講演）」　バックキャストテクノロジー・シンポジウム「材料研究におけるイノベーションの方法論」, 名古屋 名古屋大学, 2014年1月10日
162. 山口栄一「未来産業創造に向かうイノベーションの方法」　京都産業エコ・エネルギー推進機構　2013年度ビジネス・クリエイター&マーケター育成スクール, 京都, 2014年1月11日
163. 山口栄一「イノベーション創成論−最先端ICTは教育をどう変革するか−　（招待講演）」　総務省「教育分野における最先端ICT利活用に関する調査研究」シンポジウム, 東京, 2014年1月21日
164. 山口栄一「イノベーション・ソムリエ論−日本の産業は、立ち直れるか?　」　2014年度第1回クオリアAGORAワールドカフェ, 京都, 2014年5月22日
165. 山口栄一「死ぬまでに学びたい5つの物理学　（招待）」　東京理科大学　教養概論, 2014年06月11日
166. 山口栄一「グローバルリーダーを育成する新しい大学院への挑戦−京都大学リーディング大学院思修館の紹介−　　（招待講演）」　東大YMCA OB座談会　2014年06月26日
167. 山口栄一「未来産業創造にむかうイノベーション戦略の研究」　思修館懇話会, 京都大学, 2014年7月1日
168. 山口栄一「科学からブレークスルーイノベーションへ」　総合生存学ミニシンポジウム「理学と総合生存学」, 2014年07月02日
169. 山口栄一「Mind and Vision for (Japan’s) Scientist　　（招待講演）」　33rd Electronic Materials Symposium, 修善寺, 2014年7月9日
170. 山口栄一「死ぬまでに学びたい5つの物理学　（招待講演）」　クオリア100塾 第1回, 京都, 2014年07月31日
171. 山口栄一「沈みゆく船・日本を救え―産業再生への方法論−　（招待講演）」　日新電機 燕雀の会, 京都, 2014年8月21日
172. 山口栄一「技術とイノベーション　　（招待講演）」　大日本スクリーン(株) MPCビジネスコミュニケーション研修, 2014年9月26日
173. 山口栄一「GaNパワーデバイス技術開発の動向とイノベーションとの関連　（招待講演）」　2014年度第2回イノベーション研究会, 名古屋イノベーションハブ, 2014年10月6日
174. 山口栄一「イノベーションとは何か　（招待講演）」　クオリア100塾 第2回, 2014年10月09日, 京都
175. 山口栄一「沈みゆく船・日本を救え−ブレークスルーのイノベーション理論　（招待講演）」　日本真空工業会関西支部秋季合同講演会, 2014年10月22日, 大阪
176. 山口栄一「イノベーションとは何か？ 無限の可能性を開花するイノベーションを生み出すためには？　　（招待講演）」　先進工学イノベーションフォーラム (The 1st Innovation Forum of Advanced Engineering and Education), 2014年11月02日, 東京
177. 山口栄一「イノベーションとは何か―GaN LEDに学ぶ　（招待講演）」　H26電気関係学会関西連合大会, 2014年11月23日, 奈良先端大
178. 山口栄一「福島原発事故から学ぶ組織風土改革　（招待講演）」　経営品質実践塾 第1部, 2015年1月23日, 京都
179. 山口栄一「ノーベル賞の舞台裏　〜青色LED開発とイノベーション・ダイヤグラム〜　（招待講演）」　経営品質実践塾 第2部, 2015年1月24日, 京都
180. 山口栄一「イノベーション政策の科学ーSBIRの評価と未来産業の創造ー　（招待講演）」　ベンチャーエンタープライズセンター特別講演, 2015年1月26日, 東京
181. 山口栄一「我が国のイノベーションのあり方について―日本は如何にサイエンス型ベンチャー企業育成に失敗したか―　（招待講演）」　JST20周年記念シンポジウム企画委員会2015年02月16日, 市ヶ谷
182. 山口栄一「ノーベル賞の舞台裏　〜青色LED開発とイノベーション・ダイヤグラム〜　（招待講演）」　DBSネットワーク特別講演会, 2015年2月21日, 名古屋大学
183. 山口栄一「京大エグゼクティブプログラムに学ぶ人財育成　（招待講演）」　第2回DIW倶楽部, 2015年2月24日, 日本外国特派員協会, 東京
184. 山口栄一「日本のサイエンスイノベーション　（招待講演）」　応用物理学会 界面ナノ電子化学研究会, 2015/04/24, 京都大学
185. 山口栄一「京都大学エグゼクティブ・リーダーシップ・プログラム（ELPs)について　（招待講演）」　京都伏見ロータリークラブ, 2015年5月29日, ホテルグランヴィア京都
186. 山口栄一「JR福知山線転覆事故の本質　（招待講演）」　組織罰研究会, 2015年5月30日, 関西大学ミューザキャンパス
187. 山口栄一「青色LEDの物理学とイノベーション―ノーベル賞の舞台裏　（招待講演）」　第88回京大サロントーク〜異分野学問領域間の交流の場, 2015/06/09, 京大時計台記念館
188. 山口栄一「イノベーションの本質　（招待講演）」　村田機械講演会, 2015年06月30日, 京都
189. 山口栄一「イノベーション政策の科学―SBIRの評価と未来産業の創造」　内閣府　総合科学技術会議, 2015年07月30日
190. 山口栄一「イノベーションの本質」　京都大学「未来創成学国際研究ユニット」設置記念シンポジウム, 2015年08月06日, 京都
191. 山口栄一「京都イノベーションベルトへの期待 (招待講演)」京都イノベーションベルト推進フォーラム, 2015年08月07日, 京都
192. 山口栄一「イノベーションの構造 (招待講演)」　IMRA Japan　特別講演会, 2015年09月17日
193. 山口栄一「研究開発部門におけるイノベーション （招待講演）」　GSユアサ講演会, 2015年09月25日
194. 山口栄一「イノベーションの構造　（招待講演）」　富士通新任取締役エグゼクティブセミナー, 2015年10月09日, 京都
195. 山口栄一「パラダイム破壊型イノベーション入門 −未来ビジョンをデザインするイノベーション・ソムリエのために　（招待講演）」　京都大学教育実践コラボレーション・センター講演会, 2015年10月22日, 京都
196. 山口栄一「知の越境と新産業の創造 〜ELP：京都大学の新しい試み　（招待講演）」　大阪ロータリークラブ講演会, 2015年10月30日
197. 山口栄一「イノベーションの構造　（招待講演）」　富士通新任取締役エグゼクティブセミナー, 2015年11月11日
198. 山口栄一「科学をイノベーションに転ずるために ―沈みゆく船・日本を救え―　（招待講演）」　第60回エグゼクティブ・ニュース懇談会, 2015年11月24日
199. 山口栄一「イノベーションの本質　（招待講演）」　京丹後市ふるさとテレワーク研究会, 2015年11月29日, 京都
200. 山口栄一「越境する知の共鳴場へ ―京大YMCAに期待すること―　（招待講演）」　京大YMCAクリスマス講演会, 2015年12月19日
201. 山口栄一「イノベーションと未来産業創造 ー沈みゆく船・日本を救えー　（招待講演）」　日本能率協会コンサルティング講演会, 2015年12月21日
202. 山口栄一「イノベーション創生論 〜イノベーションの本質〜」　京都信用金庫, 2016年02月17日, 京都
203. 山口栄一「イノベーションの本質　その2−テクノヘゲモニー論 ?（招待講演）」　IMRA Japan, 2016年03月07日
204. 山口栄一「イノベーション政策の科学ーSBIRの評価と未来産業の創造ー（招待講演）」　内閣府, 2016年03月28日
205. 山口栄一「わが国のイノベーションシステムとベンチャー創出強化について（招待講演）」　総合科学技術・イノベーション会議, 2016年05月12日
206. 山口栄一「ブレークスルー・イノベーション創造（招待講演）」　名古屋大学VBL, 2016年06月02日
207. 山口栄一「東電原発事故の本質ーJR福知山線事故との類似性―（招待講演）」　名古屋工業大学, 2016年06月17日
208. 山口栄一「イノベーションの本質　その3　20世紀最大のイノベーション＝トランジスタ（招待講演）」　IMRA Japan, 2016年06月20日
209. 山口栄一「イノベーションの本質から読み取る未来：大英帝国というイノベーション（招待講演）」　アバージェンス, 2016年07月12日
210. 山口栄一「わが国のイノベーションシステムとベンチャー創出強化について（招待講演）」　経済同友会, 2016年09月21日
211. 山口栄一「イノベーションの本質　その4　続 トランジスタ＝MOSFETとHEMT（招待講演）」　IMRA Japan, 2016年11月07日
212. 山口栄一「イノベーションの構造　（招待講演）」　富士通(株), 2016年11月15日

2003 –　 次世代半導体デバイスの開発とその事業化　(複合領域)　(研究内容はこちら)

1. 山口栄一,"次世代半導体が拓く「環境センシング」の新しい次元（招待講演）", ネオマテリアル創成研究会, 京都リサーチパーク, 京都, 2011年9月15日
2. 山口栄一,"パワーデバイスの未来（招待講演）", 第27回高周波・アナログ半導体技術セミナー「GaNデバイスの現状と今後の動向」, 京都, 2011年12月6日
3. 山口栄一,"パワーエレクトロニクス：SiCかGaNか?", JPモルガンTechセミナー, 東京, 2011年04 月05日
4. 山口栄一,"太陽電池の未来", モルガン・スタンレーTechセミナー, 東京, 2011年4月20日

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特許

1. 光半導体装置,　 (特許1581651)　, 1980年2月
2. 光半導体装置, 　(特開昭56-169377)　, 1980年2月
3. 半導体光電変換装置, 　(特許1436645)　, 1980年8月
4. 半導体光電変換装置, 　(特許1454005)　, 1980年8月
5. 半導体光電変換装置, 　(特開昭57-036874)　
6. 電界制御型光半導体装置, 　(特許1454012)　, 1981年5月
7. 半導体結晶上への絶縁膜の形成法, 　(特許1513730)　, 1981年10月
8. 半導体結晶上への絶縁膜の形成法,　 (特開昭58-068936)　, 1981年10月
9. 半導体結晶上への絶縁膜の形成法, 　(特開昭58-068937)　, 1981年10月
10. 半導体装置及びその製法, 　(特許1535975)　, 1982年2月
11. MIS型半導体装置の半導体及絶縁体間界面準位密度測定法, 　(特開昭58-054245)　, 1982年2月
12. 半導体装置及びその製法, 　(特開昭59-143332)　
13. 半導体装置, 　(特許1927828)　, 1984年5月
14. 超伝導薄膜の形成法,　 (特開昭63-252313)　, 1987年4月
15. 半導体装置, 　(特開昭63-305561)　, 1987年4月
16. 半導体光電変換装置, 　(特許1454005)　, 1987年4月
17. 低温核融合反応を行わせる方法及びその装置,　 (特開平03-020696)　, 1989年12月
18. 低温核融合反応方法及装置, 　(特開平03-183987)　, 1989年12月
19. 低温核融合反応方法及装置, 　(特開平03-183988)　, 1989年12月
20. 低温核融合反応方法及装置, 　(特願平2-129143)　, 1990年5月
21. 発熱方法, 　(特許3096058)　, 1990年5月
22. 固体パルスレーザー装置, 　(特許3045196)　, 1991年7月
23. 時間分解発光測定装置, 　(特許2991260)　, 1992年1月
24. 発熱方法及びその装置, 　(特開平06-221688)　, 1994年8月
25. 発熱方法及びその装置, 　(特開平06-221689)　, 1994年8月
26. 誘導発熱方法及びその装置, 　(特開平06-221687)　, 1994年8月
27. 光パルス圧縮方法及び光パルス圧縮装置, 　(特開平11-212125)　, 1999年8月
28. 太陽電池用半導体網状膜の製造方法及び装置, 　(特開2001-085725)　, 2001年3月
29. 液化ガスを使用する発電システム, 　(特開2001-093557)　, 2001年4月
30. MSM型半導体受光素子,　 (特開2003-023175)　, 2003年1月
31. 半導体基板,半導体素子ならびにそれらの製造方法,　 (特願2001-233454)　, 2001年8月
32. 半導体製造システム, 　(特開2003-045472)　, 2003年1月
33. 化学気相成長装置,　(特願2001-246177)　, 2001年8月
34. 受光素子, 　(特願2005-314291)　, 2005年10月
35. 受光素子, 　(特願2005-314292)　, 2005年10月
36. 積層型半導体集積装置　（特開2008-198675）　, 2008年8月
37. 波長選択フィルター付き受光センサ　（特開2009-123921）　, 2008年8月
38. 窒化ガリウム系半導体材料を用いた荷電粒子検出器, (特開2010-067738), 2010年3月
39. 濾過フィルタおよびその製造方法、並びに濾過装置, (特開2012-071301), 2012年4月
40. 受光素子　（特開2012-156282）, 2012年8月
41. UVインデックス測定装置および測定方法　（特開2013-195338）, 2013年9月

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